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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Confronto
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
43
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.5
5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
2,160.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
37
Velocità di lettura, GB/s
5,987.5
9.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,160.7
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
957
1949
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
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