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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Confronto
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,160.7
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
43
Intorno -43% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
30
Velocità di lettura, GB/s
5,987.5
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,160.7
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
957
3040
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
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