RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Confronto
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,160.7
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
43
Intorno -87% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
23
Velocità di lettura, GB/s
5,987.5
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,160.7
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
957
3211
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link