RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Confronto
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,475.5
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
56
Intorno -133% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8800
Intorno 2.18 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
24
Velocità di lettura, GB/s
4,878.3
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,475.5
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8800
19200
Other
Descrizione
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
598
3257
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Confronto tra le RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link