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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Confronto
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
47
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
47
Velocità di lettura, GB/s
13.0
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1976
2308
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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