RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Confronto
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
28
Velocità di lettura, GB/s
13.0
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2268
3693
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5402-052.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link