RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Confronto
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
35
Intorno 23% latenza inferiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
35
Velocità di lettura, GB/s
13.9
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2418
3306
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link