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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Confronto
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
13.9
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2418
2173
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
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