RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Confronto
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
32
Intorno 16% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
32
Velocità di lettura, GB/s
13.9
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2418
2434
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link