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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Confronto
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
8.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
24
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
15.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
23
Velocità di lettura, GB/s
15.5
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2402
2532
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston Kingston2GB800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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