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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Confronto
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
51
Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
9.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
51
Velocità di lettura, GB/s
13.0
9.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2201
2248
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-431.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
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