RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Confronto
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
35
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
6.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
29
Velocità di lettura, GB/s
11.5
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.5
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1994
3030
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link