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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Confronto
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
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Motivi da considerare
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
35
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
6.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
29
Velocità di lettura, GB/s
11.5
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.5
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1994
3673
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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