RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Confronto
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
6.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
28
Velocità di lettura, GB/s
11.5
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.5
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1994
3325
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link