RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Confronto
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
35
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
6.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
33
Velocità di lettura, GB/s
11.5
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.5
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1994
3131
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link