RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Confronto
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno 10% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
13
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
30
Velocità di lettura, GB/s
13.0
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2489
1338
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-466.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link