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Kingston 9905428-093.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Confronto
Kingston 9905428-093.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905428-093.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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Motivi da considerare
Kingston 9905428-093.A00LF 8GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
35
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.4
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905428-093.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
27
Velocità di lettura, GB/s
10.9
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1940
2062
Kingston 9905428-093.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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