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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Confronto
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
25
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
18
Velocità di lettura, GB/s
12.8
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2239
3668
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Team Group Inc. 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
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