RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Confronto
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
35
Intorno 29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
35
Velocità di lettura, GB/s
12.8
10.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2239
2124
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link