RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Confronto
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
71
Intorno 65% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
71
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2239
1767
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link