RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Confronto
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
25
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1896
2104
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link