RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Confronto
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
34
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
34
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1896
2902
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link