RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Confronto
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
25
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
19
Velocità di lettura, GB/s
12.8
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1896
3435
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link