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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Confronto
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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Motivi da considerare
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Motivi da considerare
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
73
Intorno -217% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
4.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
23
Velocità di lettura, GB/s
6.1
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
4.7
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1021
2236
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
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