RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Confronto
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
73
Intorno -217% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
4.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
23
Velocità di lettura, GB/s
6.1
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
4.7
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1021
2960
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Segnala un bug
×
Bug description
Source link