RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Confronto
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
73
Intorno -204% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
4.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
24
Velocità di lettura, GB/s
6.1
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
4.7
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1021
2731
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link