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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Confronto
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs INTENSO 5641152 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
INTENSO 5641152 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
73
Intorno -217% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
4.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
23
Velocità di lettura, GB/s
6.1
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
4.7
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1021
2215
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
INTENSO 5641152 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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