RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Confronto
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
73
Intorno -161% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
4.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
28
Velocità di lettura, GB/s
6.1
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
4.7
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1021
2487
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link