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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Confronto
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Motivi da considerare
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
73
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
4.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
8500
Intorno 3.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
39
Velocità di lettura, GB/s
6.1
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
4.7
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
25600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1021
2782
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
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