RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Confronto
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
73
Intorno -143% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
4.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
8500
Intorno 2.75 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
30
Velocità di lettura, GB/s
6.1
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
4.7
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
23400
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1021
2913
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link