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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Confronto
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
73
Intorno -135% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.4
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.3
4.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
31
Velocità di lettura, GB/s
6.1
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
4.7
5.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1021
1740
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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