RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Confronto
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
59
Intorno 36% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
59
Velocità di lettura, GB/s
12.9
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2144
2181
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link