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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Confronto
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
37
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
33
Velocità di lettura, GB/s
12.0
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1853
2987
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
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