RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Confronto
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
26
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
26
Velocità di lettura, GB/s
15.5
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2650
2880
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-079.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link