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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Confronto
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
43
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
40
Velocità di lettura, GB/s
13.9
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2322
2204
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GL1600D364L10/8G 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XN205T-MIE 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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