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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Confronto
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
14.2
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2277
3061
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
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