Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB

Punteggio complessivo
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 28
    Intorno 7% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.2 left arrow 13.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.4 left arrow 8.5
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    26 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.2 left arrow 13.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.5 left arrow 9.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2277 left arrow 2381
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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