RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Confronto
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
50
Intorno 40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
50
Velocità di lettura, GB/s
15.6
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.1
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2792
2424
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link