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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Confronto
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation M424051 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
97
Intorno 69% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
5.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation M424051 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
97
Velocità di lettura, GB/s
15.6
11.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.1
5.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2792
1270
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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