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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Confronto
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
38
Intorno 21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
10.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
38
Velocità di lettura, GB/s
15.6
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.1
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2792
2298
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
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