RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Confronto
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
42
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
6.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
6.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
37
Velocità di lettura, GB/s
6.4
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
6.7
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1632
3170
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link