RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Confronto
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
99
Intorno 58% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.7
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
6.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
99
Velocità di lettura, GB/s
6.4
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.7
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1632
1386
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link