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Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston 9905403-114.A00LF 2GB
Confronto
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB vs Kingston 9905403-114.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-114.A00LF 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston 9905403-114.A00LF 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
27
26
Velocità di lettura, GB/s
14.2
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2230
2013
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-114.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
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