RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Confronto
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
AMD R748G2606U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
61
Intorno 56% latenza inferiore
Motivi da considerare
AMD R748G2606U2S 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
61
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
2028
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link