RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Confronto
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
41
Intorno 34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
7.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
6.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
41
Velocità di lettura, GB/s
13.2
7.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
1512
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Corsair CMD16GX3M2A2133C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link