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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Confronto
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
70
Intorno 61% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
5.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
4.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
27
70
Velocità di lettura, GB/s
13.2
5.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
4.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
1043
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
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