RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Confronto
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
27
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
19
Velocità di lettura, GB/s
13.2
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
3220
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link