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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Confronto
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
71
Intorno 62% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
71
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
1650
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-045.A00G 8GB
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