RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Confronto
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
73
Intorno 63% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
73
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
1724
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link