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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Confronto
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Motivi da considerare
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
27
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
23
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
2575
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
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